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10月7日,据媒体报道,三星电子在公司举办的晶圆代工论坛上表示,2025年将开始量产2纳米芯片,明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片,第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。三星表示,公司的全环绕栅极(GAA)电晶体结构先进制程技术已经发展完备,明年可为客户量产3纳米芯片,2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较,性能增强30%,功耗减少50%。